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Vishay Diode de commutation, 8A, 200 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches (10), VS-8EWH02FN-M3

Diode de commutation, 8A, 200 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 22pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur : 6.73mm

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Vishay Pont redresseur Monophasé, 2A 1000V Jonction au silicium, D 44, 4 broches (500), VS-2KBP10

Pont redresseur Monophasé, 2A 1000V Jonction au silicium, D 44, 4 broches Type de montage : Traversant Configuration : Simple courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 63A Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -40 °C Tension directe de crête : 1V

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Vishay Diode CMS, 1A, 40V, (5), VS-10BQ040-M3/5BT

Diode CMS, 1A, 40V, VS-10BQ040-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 430A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 10A, 1200V, (5), VS-10ETS12S-M3

Diode CMS, 10A, 1200V, VS-10ETS12S-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

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Vishay Diode Montage fileté, 70A, 100V, , Filetage sur cathode, VS-70HF10

Diode Montage fileté, 70A, 100V, VS-70HF10, Filetage sur cathode Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DO-5 Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 2 Chute minimale de tension directe : 1.35V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 1.3kA, Vishay

SENSORE GIRI E FASE BMW SERIE 3 Cabriolet (E93) 335 i 225KW 306CV 05/2006>10/13

Vishay Diode Montage panneau, 100A, 1000V, , Cathode commune (10), VS-VSKC91/10

Diode Montage panneau, 100A, 1000V, VS-VSKC91/10, Cathode commune Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : TO-240AA Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 1.55V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 2.1kA, Vishay

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Vishay Thyristor, , 15mA 6.5A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.15V (50), VS-10TTS08-M3

Thyristor, VS-10TTS08-M3, 15mA 6.5A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.15V Courant de surcharge : 140A Type de montage : Traversant Tension de déclenchement de Grille maximum : 1V Courant de maintien maximum : 30mA Longueur : 10.66mm Largeur : 4.82mm Hauteur : 9.02mm Dimensions : 10.66 x 4.82 x 9.02mm Température

SENSORE GIRI E FASE BMW SERIE 3 (E90) 335 i xDrive 225KW 306CV 05/2008>10/11

Vishay Diode CMS, 12A, 100V, , Cathode commune (75), VS-12CWQ10FNPBF

Diode CMS, 12A, 100V, VS-12CWQ10FNPBF, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 650mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

SENSORE GIRI E FASE BMW SERIE 3 (E90) 335 i xDrive 225KW 306CV 05/2008>10/11

Panasonic Condensateur , 10μF, 35V c.c., série VS, EEE1VA100SR

Condensateur Panasonic, 10μF, 35V c.c., série VS Capacité : 10µF Type de montage : Montage en surface Technologie : Electrolytique Dimensions : 5 (Dia.) x 5.4mm Température d'utilisation minimum : -40°C Diamètre : 5mm Température d'utilisation maximum : +85°C Durée de vie : 2000h Courant de fuite : 3 μA

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Module thyristor, VS-P402W, 40A 600V PACE-PAK 0.1mA, 6 broches Tension de déclenchement de Grille maximum : 2V Courant de déclenchement de Grille maximum : 60mA Courant de maintien maximum : 130mA Courant de surcharge : 0.4kA Type de montage : Montage à visser Tension de crête à l'état passant : 1.4V

SENSORE GIRI E FASE BMW SERIE 3 Cabriolet (E93) 335 i 225KW 306CV 05/2006>10/13

Vishay Diode Montage fileté, 40A, 100V, , Filetage sur cathode (100), VS-40HF10

Diode Montage fileté, 40A, 100V, VS-40HF10, Filetage sur cathode Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DO-5 Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 2 Chute minimale de tension directe : 1.3V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 595A, Vishay

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Vishay Thyristor, , 60mA 10A, 1200V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.4V (800), VS-16TTS12STRL-M3

Thyristor, VS-16TTS12STRL-M3, 60mA 10A, 1200V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.4V Courant de surcharge : 200A Type de montage : CMS Tension de déclenchement de Grille maximum : 2V Courant de maintien maximum : 100mA Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm

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Diode CMS, 1.5A, 60V, VS-10MQ060-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 40A, Vishay

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Pont-redresseur contrôlable, VS-51MT160KPBF, 55A 1600V INT-A-PAK 10mA, 6 broches Type de Thyristor : Module thyristor Tension de déclenchement de Grille maximum : 2.5V Courant de déclenchement de Grille maximum : 150mA Courant de maintien maximum : 200mA Courant de surcharge : 0.41kA Type de montage : Montage

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Vishay Diode Montage fileté, 12A, 100V, , Filetage sur cathode, VS-12F10

Diode Montage fileté, 12A, 100V, VS-12F10, Filetage sur cathode Type de boîtier : DO-4 Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.26V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 280A, Vishay

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Vishay Diode CMS, 10A, 800V, (800), VS-10ETS08STRL-M3

Diode CMS, 10A, 800V, VS-10ETS08STRL-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.1V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 200A, Vishay

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Transistor, NPN, 15 V, 500 mA, SSMini, 6 broches Dual Isolé Type de montage : CMS Dissipation de puissance maximum : 200 mW Gain en courant DC minimum : 90 Tension Emetteur Base maximum : 6 V Fréquence de fonctionnement maximum : 420 MHz Dimensions : 0.6 x 1.7 x 1.3mm Hauteur : 0.6mm, Nexperia, MPN:

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Vishay Thyristor, , 120mA 90A, 1200V, D 55, 3 broches 1.55V (10), VS-T90RIA120

Thyristor, VS-T90RIA120, 120mA 90A, 1200V, D 55, 3 broches 1.55V Courant de surcharge : 1870A Type de montage : Montage panneau Tension de déclenchement de Grille maximum : 2.5V Courant de maintien maximum : 200mA Longueur : 41mm Largeur : 27mm Hauteur : 25mm Dimensions : 41 x 27 x 25mm Température

Vishay Diode Montage panneau, 300A, 40V, , Cathode commune (10), VS-301CNQ040PBF

Diode Montage panneau, 300A, 40V, VS-301CNQ040PBF, Cathode commune Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : TO-244 Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 16kA, Vishay

Vishay Diode CMS, 1.5A, 100V, (10), VS-10MQ100-M3/5AT

Diode CMS, 1.5A, 100V, VS-10MQ100-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 850mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

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Diode Montage panneau, 100A, 800V, VS-VSKD91/08, Série Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : TO-240AA Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 1.55V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 2.1kA, Vishay

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Diode Montage panneau, 40A, 600V, VS-T40HF60 Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : D-55 Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 2 Chute minimale de tension directe : 1.3V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 600A, Vishay

Vishay Diode Montage panneau, 200A, 150V, , Cathode commune (10), VS-VSKCS209/150

Diode Montage panneau, 200A, 150V, VS-VSKCS209/150, Cathode commune Type de boîtier : TO-240AA Technologie de diode : Schottky Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 850mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 11.3kA, Vishay

Vishay Diode Montage panneau, 100A, 1600V, (10), VS-VSKE91/16

Diode Montage panneau, 100A, 1600V, VS-VSKE91/16 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : TO-240AA Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.55V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 2.1kA, Vishay

Vishay Diode Montage panneau, 170A, 400V, , 172ns, Isolé (10), VS-UFB280FA40

Diode Montage panneau, 170A, 400V, VS-UFB280FA40, 172ns, Isolé Type de redressement : Recouvrement rapide Type de boîtier : SOT-227 Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.24V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 1.3kA, Vishay

Vishay Pont redresseur Triphasé, 25A 100V Jonction au silicium, D 63, 5 broches (20), VS-26MT10

Pont redresseur Triphasé, 25A 100V Jonction au silicium, D 63, 5 broches Type de montage : Traversant Configuration : Simple courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 375A Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55 °C Tension directe de crête : 1.26V

Vishay Diode Montage panneau, 244A, 400V, , 120ns, Cathode commune (10), VS-HFA240NJ40CPBF

Diode Montage panneau, 244A, 400V, VS-HFA240NJ40CPBF, 120ns, Cathode commune Type de redressement : Commutation Type de boîtier : TO-244 Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 1.5V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 900A, Vishay

Vishay Diode traversante, 40A, 1000V, , 450ns, VS-40EPF10-M3

Diode traversante, 40A, 1000V, VS-40EPF10-M3, 450ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : TO-247AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.4V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 475A, Vishay

Vishay Diode Montage panneau, 120A, 1200V, , 218ns, Isolé (10), VS-HFA140FA120

Diode Montage panneau, 120A, 1200V, VS-HFA140FA120, 218ns, Isolé Type de boîtier : SOT-227 Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 5.3V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 350A, Vishay

Vishay Pont redresseur Monophasé, 35A 100V, D 34, 4 broches, VS-36MB10A

Pont redresseur Monophasé, 35A 100V, D 34, 4 broches Type de montage : Montage à visser Configuration : Simple courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 155A Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -40 °C Tension directe de crête : 1.3V Courant inverse

Vishay Diode Montage panneau, 141A, 600V, , 182ns, Isolé (10), VS-UFB230FA60

Diode Montage panneau, 141A, 600V, VS-UFB230FA60, 182ns, Isolé Type de boîtier : SOT-227 Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 2.05V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 1.4kA, Vishay

Vishay Diode traversante, 10A, 35V, (50), VS-MBR1035-M3

Diode traversante, 10A, 35V, VS-MBR1035-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 150A, Vishay

Vishay Diode CMS, 12A, 600V, , 22ns (10), VS-12EWH06FNTR-M3

Diode CMS, 12A, 600V, VS-12EWH06FNTR-M3, 22ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Recouvrement progressif Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.8V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 110A, Vishay

Vishay Diode Montage fileté, 40A, 100V, , Filetage sur anode (100), VS-40HFR10

Diode Montage fileté, 40A, 100V, VS-40HFR10, Filetage sur anode Type de redressement : Commutation Type de boîtier : DO-5 Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 2 Chute minimale de tension directe : 1.3V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 595A, Vishay

Nexperia Diode TVS, , Unidirectionnel 17V SOD-123W, 400W, 2 broches (3000), PTVS10VS1UR,115

Diode TVS, PTVS10VS1UR,115, Unidirectionnel 17V SOD-123W, 400W, 2 broches Configuration de diode : Simple Tension de claquage : 11.1V Type de montage : CMS Courant d'impulsion crête maximum : 23.5A Protection ESD : Oui Température de fonctionnement minimum : -55 °C Température d'utilisation maximum : +150 °C

Vishay Diode traversante, 10A, 1200V, , 310ns (50), VS-10ETF12

Diode traversante, 10A, 1200V, VS-10ETF12, 310ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Recouvrement rapide Type de boîtier : TO-220AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.33V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 185A, Vishay

Vishay Diode Montage panneau, 85A, 600V, , 200ns (10), VS-T85HFL60S02

Diode Montage panneau, 85A, 600V, VS-T85HFL60S02, 200ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de redressement : Commutation Type de boîtier : Module en T Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.55V courant direct de surcharge

Vishay Diode CMS, 30A, 600V, , 150ns, Cathode commune (10), VS-30CDU06-M3/I

Diode CMS, 30A, 600V, VS-30CDU06-M3/I, 150ns, Cathode commune Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : TO-263AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.25V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 300A, Vishay

Vishay Diode CMS, 10A, 200V, , 27ns, Cathode commune (10), VS-10CWH02FNTR-M3

Diode CMS, 10A, 200V, VS-10CWH02FNTR-M3, 27ns, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.15V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 80A, Vishay

Panasonic Condensateur , 10μF, 35V c.c., série VS (5), EEE1VA100SR

Condensateur Panasonic, 10μF, 35V c.c., série VS Capacité : 10µF Type de montage : Montage en surface Technologie : Electrolytique Dimensions : 5 (Dia.) x 5.4mm Température d'utilisation minimum : -40°C Diamètre : 5mm Température d'utilisation maximum : +85°C Durée de vie : 2000h Courant de fuite : 3 μA

Vishay Thyristor, , 60mA 10A, 1200V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.4V, VS-16TTS12STRL-M3

Thyristor, VS-16TTS12STRL-M3, 60mA 10A, 1200V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.4V Courant de surcharge : 200A Type de montage : CMS Tension de déclenchement de Grille maximum : 2V Courant de maintien maximum : 100mA Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm

Vishay Diode CMS, 1.5A, 60V, (7500), VS-10MQ060-M3/5AT

Diode CMS, 1.5A, 60V, VS-10MQ060-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 40A, Vishay

Vishay Thyristor, , 60mA 10A, 1200V, TO-220AC, 3 broches 1.4V, VS-16TTS12-M3

Thyristor, VS-16TTS12-M3, 60mA 10A, 1200V, TO-220AC, 3 broches 1.4V Courant de surcharge : 200A Type de montage : Traversant Tension de déclenchement de Grille maximum : 2V Courant de maintien maximum : 100mA Longueur : 10.54mm Largeur : 4.57mm Hauteur : 8.76mm Dimensions : 10.54 x 4.57 x 8.76mm Température

Vishay Diode traversante, 40A, 1000V, , 450ns (25), VS-40EPF10-M3

Diode traversante, 40A, 1000V, VS-40EPF10-M3, 450ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : TO-247AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.4V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 475A, Vishay

Vishay Thyristor,16TTS12 10A 1200V (50), VS-16TTS12PBF

Thyristor,16TTS12 10A 1200V, Vishay, MPN: VS-16TTS12PBF

Vishay Module thyristor, , 60A 1200V TO-240AA 15mA, 5 broches (10), VS-VSKH56/12

Module thyristor, VS-VSKH56/12, 60A 1200V TO-240AA 15mA, 5 broches Tension de déclenchement de Grille maximum : 4V Courant de déclenchement de Grille maximum : 270mA Courant de maintien maximum : 200mA Courant de surcharge : 1.2kA Type de montage : Montage panneau Tension de crête à l'état passant : 1.7V

Vishay Pont redresseur Monophasé, 25A 100V, D 34, 4 broches, VS-26MB10A

Pont redresseur Monophasé, 25A 100V, D 34, 4 broches Type de montage : Montage à visser Configuration : Simple courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 420A Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -55 °C Tension directe de crête : 1.25V Courant inverse

Vishay Module IGBT, , 184 A 600 V, Canal-N SOT-227, 4 broches Simple (10), VS-GT140DA60U

Module IGBT, VS-GT140DA60U, 184 A 600 V, Canal-N SOT-227, 4 broches Simple Tension Grille Emetteur maximum : ±20V Type de montage : Montage panneau Vitesse de découpage : 30kHz Dissipation de puissance maximum : 577 W Dimensions : 38.3 x 25.7 x 12.3mm Longueur : 38.3mm Température d'utilisation maximum : +175

Vishay Diode Montage panneau, 40A, 100V,, VS-T40HF10

Diode Montage panneau, 40A, 100V, VS-T40HF10 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D-55 Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 2 Chute minimale de tension directe : 1.3V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 600A, Vishay

Vishay Diode CMS, 12A, 100V, , Cathode commune (5), VS-12CWQ10FNTRR-M3

Diode CMS, 12A, 100V, VS-12CWQ10FNTRR-M3, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Vishay Diode CMS, 10A, 200V, , 27ns, Cathode commune (2000), VS-10CWH02FNTR-M3

Diode CMS, 10A, 200V, VS-10CWH02FNTR-M3, 27ns, Cathode commune Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.15V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 80A, Vishay

Vishay Pont-redresseur contrôlable, , 55A 1600V INT-A-PAK 10mA, 6 broches (15), VS-51MT160KPBF

Pont-redresseur contrôlable, VS-51MT160KPBF, 55A 1600V INT-A-PAK 10mA, 6 broches Type de Thyristor : Module thyristor Tension de déclenchement de Grille maximum : 2.5V Courant de déclenchement de Grille maximum : 150mA Courant de maintien maximum : 200mA Courant de surcharge : 0.41kA Type de montage : Montage

Vishay Diode CMS, 400A, 150V, , Cathode commune (10), VS-VSKCS409/150

Diode CMS, 400A, 150V, VS-VSKCS409/150, Cathode commune Nombre d'éléments par circuit : 2 Type de boîtier : ADD-A-PAK Technologie de diode : Schottky Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 1.33V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 20kA, Vishay

Vishay Condensateur céramique monocouche (SLCC) AEC-Q200, Traversant, 10nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V (500), AY2103M61Y5VS63L0

Condensateur céramique monocouche (SLCC) AEC-Q200, Traversant, 10nF, 300V c.a., diélectrique : Y5V Série : AY2 Tolérance : ±20% Diamètre : 15.5mm Hauteur : 6mm Dimensions : 15.5 Dia. x 6mm Famille du condensateur : Couche unique Facteur de dissipation : 2.5% Température d'utilisation maximum : +125°C

Vishay Thyristor, , 90mA 10A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.4V (50), VS-16TTS08-M3

Thyristor, VS-16TTS08-M3, 90mA 10A, 800V, TO-220AB, 3 broches 1.4V Courant de surcharge : 200A Type de montage : Traversant Tension de déclenchement de Grille maximum : 3V Courant de maintien maximum : 150mA Longueur : 10.51mm Largeur : 15.49mm Hauteur : 4.65mm Dimensions : 10.51 x 15.49 x 4.65mm Température

Vishay Diode traversante, 30A, 1000V, , 450ns, VS-30APF10-M3

Diode traversante, 30A, 1000V, VS-30APF10-M3, 450ns Configuration de diode : Simple Type de boîtier : TO-247AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.41V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 350A, Vishay

Vishay Diode CMS, 10A, 45V, (5), VS-MBRB1045PBF

Diode CMS, 10A, 45V, VS-MBRB1045PBF Configuration de diode : Simple Type de boîtier : D2PAK (TO-263) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 570mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 1.1kA, Vishay

Vishay Diode CMS, 5.5A, 100V, (75), VS-50WQ10FN-M3

Diode CMS, 5.5A, 100V, VS-50WQ10FN-M3 Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 330A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1A, 15V, (5), VS-10BQ015-M3/5BT

Diode CMS, 1A, 15V, VS-10BQ015-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 440mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 140A, Vishay

Vishay Thyristor, , 60mA 10A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.4V, VS-16TTS08S-M3

Thyristor, VS-16TTS08S-M3, 60mA 10A, 800V, D2PAK (TO-263), 3 broches 1.4V Courant de surcharge : 200A Type de montage : CMS Tension de déclenchement de Grille maximum : 2V Courant de maintien maximum : 100mA Longueur : 10.67mm Largeur : 9.65mm Hauteur : 4.83mm Dimensions : 10.67 x 9.65 x 4.83mm Température

Vishay Diode CMS, 1A, 100V, (5), VS-10BQ100-M3/5BT

Diode CMS, 1A, 100V, VS-10BQ100-M3/5BT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AA (SMB) Technologie de diode : Schottky courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 780A, Vishay

Vishay Diode CMS, 1.5A, 40V, (7500), VS-10MQ040-M3/5AT

Diode CMS, 1.5A, 40V, VS-10MQ040-M3/5AT Configuration de diode : Simple Type de boîtier : DO-214AC (SMA) Technologie de diode : Schottky Chute minimale de tension directe : 620mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 120A, Vishay

Vishay Diode CMS, 8A, 200V, , 27ns (10), VS-8EWH02FNTR-M3

Diode CMS, 8A, 200V, VS-8EWH02FNTR-M3, 27ns Configuration de diode : Simple Nombre d'éléments par circuit : 1 Type de boîtier : DPAK (TO-252) Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 970mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 140A, Vishay

Vishay Diode de commutation, 8A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches (10), VS-8EWX06FN-M3

Diode de commutation, 8A, 600 (Peak Repetitive)V, TO-252AA, 3 + Tab broches Configuration de diode : Simple Type de montage : CMS Nombre d'éléments par circuit : 1 Capacitance de diode maximum : 7pF Température de fonctionnement minimum : -65 °C Température d'utilisation maximum : +175 °C Longueur : 6.73mm

Vishay MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V SOT-227, 4 broches (10), VS-FB190SA10

MOSFET, Canal-N, 190 A 100 V SOT-227, 4 broches Résistance Drain Source maximum : 6,5 mΩ Tension de seuil minimale de la grille : 2V Tension Grille Source maximum : -20 V, +20 V Type de montage : CMS Configuration du transistor : Simple Mode canal : Enrichissement Catégorie : MOSFET de puissance Dissipation

Vishay Pont redresseur Monophasé, 1.9A 100V, D 37, 4 broches (5), VS-2KBB10R

Pont redresseur Monophasé, 1.9A 100V, D 37, 4 broches Type de montage : Traversant Configuration : Simple courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 52A Température d'utilisation maximum : +150 °C Température de fonctionnement minimum : -40 °C Tension directe de crête : 1.1V Courant inverse crête :

Vishay Diode Montage panneau, 85A, 1000V, , 500ns (10), VS-T85HFL100S05

Diode Montage panneau, 85A, 1000V, VS-T85HFL100S05, 500ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : Module en T Technologie de diode : Jonction au silicium Nombre de broche : 2 Chute minimale de tension directe : 1.55V courant direct de surcharge non-répétitif de

Panasonic Capacitor Al Electrolytic VS 50V 100uF (10), EEE1HA101UP

Capacitor Al Electrolytic VS 50V 100uF, Panasonic, MPN: EEE1HA101UP

Vishay Diode traversante, 30A, 1000V, , 450ns, VS-30EPF10-M3

Diode traversante, 30A, 1000V, VS-30EPF10-M3, 450ns Configuration de diode : Simple Type de redressement : Commutation Type de boîtier : TO-247AC Technologie de diode : Jonction au silicium Chute minimale de tension directe : 1.41V courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 350A, Vishay

Vishay Diode Montage panneau, 200A, 50V, , Cathode commune (10), VS-201CNQ050PBF

Diode Montage panneau, 200A, 50V, VS-201CNQ050PBF, Cathode commune Type de boîtier : TO-244 Technologie de diode : Schottky Nombre de broche : 3 Chute minimale de tension directe : 580mV courant direct de surcharge non-répétitif de crête : 16kA, Vishay